Berbezier, Isabelle, 19..-....
Berbezier, Isabelle.
Berbezier, I. (Isabelle)
Isabelle Berbezier researcher
VIAF ID: 196075233 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/196075233
Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Berbezier, I. ‡q (Isabelle)
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-
- 100 0 _ ‡a Isabelle Berbezier ‡c researcher
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Works
Title | Sources |
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Application des faisceaux d'ions focalisés à la création de centres NV du diamant. Caractérisation de ces faisceaux d'ions issus d'une source plasma. | |
Application of focused ion beams to the creation of NV centers in diamond. Characterization of these ion beams from a plasma source.. | |
Apport de la sonde atomique tomographique dans l'étude structurale et magnétique du semi-conducteur magnétique 6H-SiC implanté avec du fer : vers un semi-conducteur magnétique à température ambiante | |
Auto-organisation de boites quantiques de Ge sur des substrats nanostructurés | |
Collisions et confinement des interfaces en croissance cristalline | |
Contribution of the atom probe tomography to the structural and magnetic study of the magnetic 6H-SiC semiconductor implanted with iron : towards a magnetic semiconductor at room temperature. | |
Contrôle de l'homogénéité et de la composition en indium dans les nanofils InGaN synthétisés par HVPE | |
Croissance de GaN semipolaire par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur substrats de Si structurés | |
Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III | |
Croissance et caractérisation d'alliages SiGe sur des structures de tailles nanométriques pour des applications en micro-électronique. | |
Croissance latérale MPCVD de diamant en homoépitaxie pour dispositifs électroniques de puissance | |
Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées | |
Development and integration of low-temperature epitaxial processes using trisilane chemistry. | |
Développement d'un nouvel instrument couplant FIB/SEM UHV et OTOF-SIMS à haute résolution spatiale pour la microélectronique et ses applications | |
Diffraction d'atomes rapides sur surfaces : des résonances de piégeage à la dynamique de croissance par épitaxie | |
Direct growth of graphene by chemical vapor deposition on silicon carbide and III-nitrides. | |
Du silicène aux films minces et nanoclusters de Si : croissance du silicium sur Ag et matériaux lamellaires étudiés par STM, GIXD et DFT. | |
E-MRS 2007 Symposium K, Nanoscale Self-Assembly and Patterning, c2009: | |
Elaboration et caractérisation de nanostructures à base de germano-siliciures ferromagnétiques pour la récupération d'énergie | |
Emetteurs de lumière à base de silicium vers des dispositifs quantiques à la fréquence des télécommunications. | |
Epitaxial growth and nanosecond laser annealing of GeSn/SiGeSn heterostructures. | |
Epitaxial growth of thin Fe3O4 films on ZnO by PLD : a perspective for spintronics. | |
Épitaxie de GaSb sur substrat Si(001)“on-axis”pour l'optoélectronique intégrée | |
Etude de nouvelles hétérostructures : silicène sur graphène. | |
Etude des propriétés thermoélectriques et d'isolation thermique du Si poreux et Si nanocristallin | |
Etude microanalytique des mécanismes d'usure | |
Fabrication and characterization of sige-based core-shell nanostructures | |
Fabrication et modélisation de nanostructures SIGe guidées par l' élasticité hétéro-épitaxiale. | |
fast atom diffraction on surfaces : from bound states resonances to the dynamics of epitaxial growth. | |
From silicen to Si films and clusters : silicon growth on Ag and layered materials studied by STM, GIXD and DFT | |
Growth and characterisation of MBE silicon and silicon-germanium structures. | |
Growth of GaN on micro- and nano- patterned silicon substrate. | |
Growth of InGaN nanowires by HVPE with the control of indium composition and substrate homogeneity. | |
Growth of SiGe-based Quantum Dot Superlattices and device developpement for the study of its thermoelectric properties. | |
Heavily doped Si and SiGe layers for advanced bipolar transistors. | |
Intégration hybride de sources laser III-V sur Si par collage direct et recroissance pour les télécommunications à haut débit | |
Magnetic quantum dots in II-VI semiconductor nanowires | |
Matériaux II-VI pour détection IRR. Relation entre les défauts dans les cristaux CdZnTe et leurs conditions de croissance | |
Mechanisms and applications of nanopatterning by FIB-LMAIS. | |
MICROANALYTIC INVESTIGATION OF WEAR MECHANISMS. | |
Modeling the growth of quantum dots under elastic strain. | |
Modélisation de la croissance de boîtes quantiques sous contrainte élastique | |
MPCVD homoepitaxial diamond lateral growth for diamond power devices. | |
Nano-fonctionnalisation par FIB haute résolution de silicium | |
Nano-functionalization with high resolution focused ion beam (HR-FIB/SEM) of silicone. | |
Nanostructuration par FIB filtrée pour l'élaboration de nanostructures semi-conductrices organisées | |
Nanostructured semiconductors and nanotechnology / eds. Isabelle Berbezier [et al.]. - Warrendale ; Cambridge, 2014. | |
Nanostructured semiconductors and nanotechnology : symposium held April 1-5, 2013, San Francisco, California U.S.A. | |
Optimization of MoSe2 - WSe2 growth by Van der Waals epitaxy for valleytronics. | |
Red LEDs based on graphene (2D crystals)/InGaN heterostructures. | |
Self-organization of Ge quantum dots on patterned substrates. | |
Silicon-based light emitters towards quantum devices at telecom frequency | |
Study of dopants redistribution (Sb and Mn) in epitaxial grown Si1-xGex layers. | |
Study of low energy plasma processes for silicon surface preparation and chemical vapor deposition of Si/SiGe heterostructures. | |
Study of SiGe condensation for strained channels development : application to advanced CMOS technologies. | |
Study of thermoelectric properties and thermal isolation of porous Si and nanocrystalline Silicon. | |
Ternary II-VI materials for cooled infrared detectors : relationship between defects and CdZnTe growth conditions. | |
Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques |