Caractérisation par faisceaux d'ions d'hétérostructures III-V pour les applications micro et optoélectroniques |
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Corrélation luminescence/défauts étendus dans les structures à puits quantique InGaAs épitaxiées sélectivement sur substrats Si |
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Croissance auto-catalysée de nanofils d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode vapeur-liquide-solide : application aux interconnexions optiques sur puce |
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Croissance par MOCVD et propriétés de boîtes quantiques InAs/GaAs épitaxiées sur silicium |
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Defect engineering applied to the development of high quality heteroepitaxial semipolar GaN for optoelectronic applications. |
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Détection directe d'événements chimiques et biologiques en milieu liquide sur nanostructures de silicium |
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Development of red LEDs in III-V materials (-GaAs-based) directly grown on silicon 300mm. |
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Développement de LEDs rouges en matériaux III-V (type GaAs) directement épitaxié sur silicium 300mm |
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Direct detection of chemical and biological species in fluidic environment on silicon nanostructures. |
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Dispositifs optoélectroniques avec des teneurs en In et Ga réduites |
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DNA origami based lithography. |
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Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique |
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Dopage des semiconducteurs II-VI à base de tellure et réalisation de structures quantiques |
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Elaboration by pulsed injection PEMOCVD and characterization of higk κ dielectrics in multilayer or mixed structures for MIM capacitors applications. |
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Elaboration et caractérisation microscopique de matériaux à l'échelle nanométrique en vue de l'application aux mémoires non volatiles |
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Elaboration par PE-MOCVD à injection pulsée et caractérisation de matériaux à forte permittivité de type multicouches ou alliées pour des appliations capacités MIM |
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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique |
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Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses |
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Étude de l’auto-organisation des copolymères à blocs pour la réalisation de nanofils silicium |
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Fabrication et caractérisation de cellules photovoltaïques à base de phosphure de gallium sur silicium |
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Fabrication et co-intégration de transistors n-MOS à base de nanofils de silicium et de transistors p-MOS à base de nanofils de germanium |
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Fils Core-shell InGaN |
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Growth by MOCVD and properties of InAs |
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Ingénierie des défauts cristallins pour l'obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d'applications optoélectroniques |
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Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil |
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Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité |
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Intégration hétérogène de GaAs sur Si à partir de nano-germes : étude de la nucléation et de la croissance de micro-cristaux sur substrats Si (001) et (111) |
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Intégration hybride de sources laser III-V sur Si par collage direct et recroissance pour les télécommunications à haut débit |
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Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET. |
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investigation of nano crystalline materials strain and structure using high spatial resolution precession electron diffraction. |
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Ion implantation doping of GaN-on-silicon layers. |
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Lithographie par auto-assemblage d'origami d'ADN |
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Mesure de déformation et cristallinité à l'échelle nanométrique par diffraction électronique en mode précession |
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Metalorganic vapour phase epitaxy of III-As semiconductors on silicon substrate and formation of ohmic contacts for photonic and radiofrequency applications on silicon. |
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[Modeling and characterization of single electron clevices] : [Single-Electron Transistors and Single-Electron Memories]. |
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Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés |
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Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized. |
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Nanofils de Silicium : Dépôt chimique en phase vapeur assisté par catalyseurs métalliques et prémices d'intégration |
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Nanofils semiconducteurs : vers des objets magnétiques ultimes, mécanisme de croissance |
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Nanoscale electrical properties of dielectrics in MIM and MOS structures. |
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New photovoltaic device based on GaP/Si heterojunctions. |
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Nouvelle architecture de SPAD (Single-Photon Avalanche Diode) intégrée dans une technologie 3D avancée |
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Nouvelles approches d'utilisation de la spectroscopie de photoélectrons à rayons X (XPS) pour le développement et le contrôle des technologies FDSOI avancées |
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Optoelectronic devices with reduced In and Ga content. |
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Organized growth of semiconducting one-dimensional nanostructures in vertical porous templates for the fabrication of field effect transistors |
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Procédé de croissance et caractérisation avancée de nanocristaux de silicium pour une intégration dans les mémoires non-volatiles |
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Propriétés électriques à l'échelle nanométrique des diélectriques dans les structures MIM et MOS |
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Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de Silicium = Fabrication and electro-optical characterization of a silicon-nanocrystal-based nanopixel |
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Red LEDs based on graphene (2D crystals)/InGaN heterostructures. |
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Relaxed InGaN pseudosubstrate for long wavelengths emission. |
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Réseaux de neurones impulsionnels basés sur les mémoires résistives pour l'analyse de données neuronales |
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Room temperature single-photon source based on semiconductor quantum-dot nanowire for integrated photonics. |
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Selective area growth of GaN pseudo-substrates on silicon for optoelectronic applications. |
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Semiconductor nanowires for ultimate magnetic objects : growth mechanism. |
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Source de photons uniques à température ambiante utilisant des nanofils semi-conducteurs à boîtes quantiques pour la photonique intégrée |
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Spiking neural networks based on resistive memory technologies for neural data analysis. |
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Study and analysis of the catalyzed growth mechanisms of silicon nanowires obtained by chemical vapour deposition. |
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Study of diblock copolymer thin films self-assembling for applications in microelectronic. |
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Study of electronic and transport properties of semiconducting nanowires and graphene planes. |
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Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors. |
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van der Waals epitaxy of GaN on graphene for photonics. |
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VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET. |
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VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors |
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