Development of damage-free plasma etching processes for GaN based power electronics. |
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Development of phase-change materials based on GeTe alloys by MOCVD : applications to embedded memories for microelectronics. |
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Développement de la technique dépôt par couche atomique spatiale (SALD) pour la fabrication de couches minces type P d'oxyde de cuivre (I) conductrices |
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Développement de techniques de patterning avancées pour les filières CMOS-sub 10nm |
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Développement d'électrodes transparentes par méthodes de dépôt à pression atmosphérique et bas coût pour applications photovoltaïques |
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Développement d'un procédé de structuration 3D pour le silicium |
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Développement d'une nouvelle technique d'analyse pour les nanosctructures gravées par plasmas : (S)TEM EDX quasi in-situ |
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Développement et caractérisation des procédés de gravure plasma impliqués dans la réalisation de grille métallique de transistor pour les technologies FDSOI 14nm : contrôle dimensionnel et rugosité de bord. |
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Developpement of an innovative process for shallow trench isolation gap-filling of advanced CMOS technology nodes. |
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Diamond nanostructure fabrication by etching and growth with metallic nanoparticles |
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Elaboration and wideband frequency charaterization of « high-k » materials in a « MIM » configuration. |
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Élaboration d'une membrane séparatrice de gaz à partir de nanoparticules métalliques infiltrées dans une matrice nitrure pour la production de dihydrogène. |
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Élaboration et caractérisation large bande de matériaux « high-K » en structure « MIM » |
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Elaboration par PE-MOCVD à injection de couches minces d'oxyde d'yttrium pour des applications en microélectronique avancée |
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Electrical characterization & TEM study of the physical mechanism simplied in reliability issues of Ge-rich GST phase-change memories. |
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Etude de la gravure des contacts en présence d'un double masque pour les nœuds technologiques avancés |
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Etude de matériaux chalcogénures amorphes et de leurs propriétés de commutation électrique pour la conception de dispositifs sélecteurs dédiés aux mémoires résistives |
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Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité |
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Etude de procédés plasmas pour le retrait de résine implantée pour les filières CMOS et photonique |
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Etude des commutations de résistance de l'oxyde d'hafnium |
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Etude des interactions matériaux et des mécanismes électrochimiques aux interfaces des électrodes d'un empilement mémoire à base d'oxydes métalliques |
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Etude des premiers instants du dépôt chimique par flux alternés (ALD) de films ZnO ultra minces sur In0,53Ga0,47As, dans le but d'optimiser la résistance de contact d'une structure MIS |
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Etude et optimisation de l'étape de passivation des µLED bleues GaN-InGaN |
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Etude par spectroscopie de masse d'un plasma hélicon en mélange oxygène / azote |
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Études par spectroscopie photoélectronique par rayons X de la commutation résistive dans les CBRAMs à base de Te. |
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Gravure du verre de chalcogénure GeSbSe en plasma fluoré ou à base de méthane |
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Improvement of alumina textural properties by nanorods morphology and organization. |
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Investigation of hybrid CBRAM/OXRAM non-volatile memories for low consumption and high reliability. |
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Isomérisation et hydrocyanation des pentènenitriles en milieux liquides ioniques catalysées par les dérivés du nickel(0) complexés par des ligands phosphorés ioniques |
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La2NiO4+d, un conducteur mixte ionique-électronique pour les mémoires à changement de Valence |
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Lithiated positive electrodes of titanium oxysulfides for Li-ion microbatteries. |
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Low temperature deposition of thin silicon dioxide films from oxygen/organosilicon plasma in a RF helicon reactor. |
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Metal-oxide-semiconductor capacitor for diamond transistor : simulation, fabrication and electrical analysis |
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Metal oxides for passivation of the Si |
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Metallic nanoclusters embedded in nitride nanolaminates for efficient gas separation membranes |
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Nanocaractérisation d'oxydes à changement de résistance pour les mémoires résistives |
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Nanocharacterization of resistance switching oxides for resistive memories. |
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New protective coating for resistive component for thin layer. |
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New technology based on H2 and He plasmas to control etching of ultrathin layers at a nanometer scale. |
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Nouveau revêtement de protection pour composants résistifs à couches minces |
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Nouvelle méthode de passivation de photodiode CdHgTe et amélioration de la compréhension de l'influence du procédé sur les performances électro-optiques |
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Nouvelle technologie utilisant les plasmas H2 et He pour contrôler la gravure de couches ultraminces à l'échelle nanométrique |
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Nouvelles générations de structures en diamant dopé au bore par technique de delta-dopage pour l'électronique de puissance : croissance par CVD et caractérisation |
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Optimization of physical chemistry of the Pt/Ru/PbZrTiO3 interface for future high capacitance density devices |
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Oxydes métalliques pour la passivation de l'interface Si / SiO2 des capteurs d'images CMOS |
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Plasma assisted chemical deposition (CVD/ALD) and integration of Ti(Al)N and Ta(Al)N for sub-20 nm metal gate |
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Plasma etching of high-χ block copolymers. |
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Procédés de dépôt par croissance sélective de silicium microcrystallin par PECVD : origine physique, défis et solutions. |
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Process modeling for proximity effect correction in electron beam lithography. |
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Réalisation de transistors à un électron par encapsulation d'îlots nanométriques de platine dans une matrice diélectrique en utilisant un procédé ALD |
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Sélection d'un précurseur pour l'élaboration de couches atomiques de cuivre : application à l'intégration 3D |
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Selection of a precursor for the atomic layer deposition of copper : application to the 3D integration. |
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Selective deposition of TiO2 and Ta2O5 by adding plasma etching in PEALD process for resistive memories. |
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Self-assembly silicon nanowires in nanoporous matrix of alumina obtained with nanoimprint process. |
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Silicon nitride spacer etching process development for sub-10nm Front End Of Line CMOS applications. |
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Stabilisation en phase quadratique de zircone déposée par PEALD : application aux capacités MIM |
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Stabilization of tetragonal zirconia deposited by PEALD for MIM capacitor applications. |
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Study and optimization of the passivation step of blue GaN-InGaN µLEDs. |
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Study of amorphous chalcogenide materials and of their electrical threshold properties targeting the development of selector devices for resistive memories. |
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Study of materials interactions and electrochemical mechanisms at the interfaces of electrodes of a memory stack based on metal oxides. |
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Study of metal oxides (HfO2) for resistive random access memories. |
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Study of plasma processes for stripping of implanted photoresist for CMOS and photonics applications. |
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Study of the contact etching with a double patterning strategy for advanced technological nodes. |
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Super-réseaux GeTe/Sb2Te3 pour les mémoires iPCM : croissance PVD par épitaxie van der Waals et étude de leur structure |
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Synthèse de couches ultra-minces de chalcogénures lamellaires sur oxyde de silicium thermique, par flux alternés de molécules organiques et inorganiques. Apport des mesures in situ aux rayons X (synchrotron) et de la spectroscopie de photoelectrons au développement du procédé |
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Synthèse en couches minces de sulfures lamellaires (2D) par des procédés à basse température |
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Synthesis of lamellar chalcogenide ultra-thin films on thermal silicon oxide by a hybrid Atomic Layer Deposition/Molecular Layer Deposition route, developed by in situ X-ray synchrotron and advanced characterization studies. |
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Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM. |
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Transferts d'énergie dans des titanates dopés Pr 3+ et application au développement d'afficheurs électroluminescents par pulvérisation cathodique |
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Transistors en diamant pour électronique de puissance : études des matériaux et procédés technologiques |
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Transparent and conductive Vanadium sulfide film synthesized by CVD/ALD on large areas. |
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The use of hydroxyborate anions as anchors for organometallic complexes : application to olefin transformation reactions. |
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Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM |
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Visualising the incipient Atomic Layer Deposition of ZnO ultra-thin film on In0,53Ga0,47As, for tailoring contact resistivity. |
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Yttrium oxide thin films elaboration by pulsed injection Plasma-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition for applications in advanced microelectronics. |
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