Lazar, Mihai Bogdan, 1974-...
VIAF ID: 192734350 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance | |
Development of edge-emitting Si/SiGe based optical sources operating in the visible and near visible range wavelength for sensing and communication applications | |
Développement d'optiques à base de Si | |
Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance = luminium ion implantation doping in silicon carbide study in order to realize power devices | |
Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices. | |
Materials and Technology for the Patterning of Electron Emissivity on Hot Curved Porous Surfaces. | |
Matériaux et procédés pour la modulation spatiale de l'émissivité électronique d'une cathode thermoïonique | |
Optimisation de l'épitaxie VLS du semiconducteur 4H-SiC : Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC | |
Optimization of the VLS epitaxy of 4H-SiC semiconductor : Development of localized doping in 4H-SiC by VLS epitaxy and applications to SiC power devices. | |
Simulation, réalisation et caractérisation de jonction p+n en SiC-4H, pour la photodétection de rayonnement UV | |
Synthèse d'électrodes carbonées pour la détection électrochimique et insertion dans un système microfluidique | |
Technology of monolithic integration of Side JFET. | |
Terminaisons verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance | |
'Thin film nanocomposites based on ZnO loaded with silver nanoparticles : Application for photocatalysis'. | |
Vertical termination filled with adequate dielectric on wide band-gap HVDC power devices. |