Bergeault, Eric, 19..-....
Bergeault, Eric
VIAF ID: 191712504 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/191712504
Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Bergeault, Eric
- 100 1 _ ‡a Bergeault, Eric, ‡d 19..-....
Works
Title | Sources |
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Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF | |
Amélioration des performances intrinsèques d'un amplificateur de puissance grâce à une méthode de linéarisation | |
Architecture d'amplificateur faible bruit large bande multistandard avec gestion optimale de la consommation | |
Architecture d'échantillonnage rapide pour l'imagerie RADAR | |
Architecture of broadband multistandard low noise amplifier with optimal management of power consumption. | |
AN AUTOMATED SIX-PORT NETWORK ANALYZER IN THE 1-18 GHZ FREQUENCY RANGE. | |
Caractérisation et Modélisation de structures MASMOS en vue de la conception d'un amplificateur de puissance pour la LTE | |
Caractérisation IV impulsionnelle et RF et Modélisation de AlGaN/GaN HEMT et graphène FET. | |
Characterization and Modeling of MASMOS structure in order to design power amplifier for LTE applications. | |
CMOS RF integrated circuits design for consumer electronics : application to mixers. | |
Co-design d'un bloc PA-antenne en technologie silicium pour application radar 80GHz | |
Combinaison de puissance hyperfréquence à faibles pertes et compacte | |
Conception et développement d'étalons pour la mesure des paramètres S en mode mixte de circuits intégrés et méthodes associées | |
Contribution à la mesure temporelle et à la simulation en équilibrage harmonique de la stabilité d'impulsion à impulsion de transistors en technologie GaN | |
Contribution to GaN transistors modeling and design of novel power amplifier architectures for improved power added efficiency of airborne emit-receiver. | |
Design and development standards for mixed-mode S-parameters measurement of integrated circuits and associated methods. | |
Design of a high efficiency amplifier based on active load modulation principle in GaN technology for an application to satellite radio-navigation. | |
Design of base stations integrated power amplifier in silicon technology for the fourth generation of cellular radio communication networks. | |
Design of reconfigurable power amplifiers in CMOS technology dedicated to 4G LTE application. | |
Development of test benches dedicated to the behavioral modeling of RF and microwave power amplifiers. | |
Développement de bancs de tests dédiés à la modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance RF et micro-ondes | |
Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs | |
Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l'énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G) | |
Dual approach including TCAD modelling and advanced electrical characterization to determine localization and traps signature of GaN HEMTs. on SiC substrate. | |
Etude et mise en œuvre d'un banc intégré et étalonné 4 canaux pour la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires hyperfréquences | |
Etude et realisation d'un analyseur de reseau six portes dans la bande de frequence 1-18 GHz | |
Etude et traçabilité du calibrage "Line-Attenuator Reflect" pour des mesures sous pointes à l'aide de l'analyseur de réseau vectoriel | |
Experimental characterization of RF power transistors : Conception of a multiharmonic Source-Pull/Load-Pull set-up based on six-port technique. | |
Faisabilité d'un étalon calculable de puissance hautes fréquences | |
Feasability of high frequency calculable power standard. | |
High efficiency integrated devices for energy management in futures 5G transmitters. | |
Intrinsic performance improvement of a power amplifier using a linearization technique. | |
Low loss and compact high power combination. | |
Measurements and 2-tone Harmonic Balance Simulations of P2P Performance ofHEMTGaN Transistors. | |
Microwave power transistors characterisation system including instantaneous base-band predistortion. | |
Mise en œuvre d'un système de mesure load-pull à partir d'un analyseur de réseaux à six-portes pour la caractérisation expérimentale des transistors de puissance | |
Modélisation de composants RF en technologie CMOS pour les communications sans fils | |
A new GaN based high speed and high power switching circuit for envelope tracking modulators. | |
Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l'étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar | |
Plate-forme de caractérisation fonctionnelle de transistors de puissance micro-ondes incluant la prédistorsion numérique en bande de base | |
Power Amplifier Caracterization using Six-Port Reflectometer in presence of complex modulated signals. | |
Pulse-to-pulse stability of GaN HEMT power amplifiers for radar applications in S-band. | |
Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs | |
Sampling architecture for RADAR imaging. | |
Study and conception of GaN Doherty amplifiers in Quasi - MMIC technology on C band. | |
Study and implementation of a 4-channel integrated and calibrated time-domain characterization system for the characterization of non-linear microwave devices. | |
Study and traceability of " line-reflect-attenuator " calibration for on-wafer measurements using vector network analyzer. |