Amplificateur de puissance à polarisation contrôlée et à faible variation du temps de propagation de groupe pour systèmes de localisation en technologie ultra large bande impulsionnelle |
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Analysis and design of new structures of microwave integrated active filter. |
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Anew HEMT model allowing accurate IM3 intermodulation distortion simulations at low output power and high frequency range : linearity performances study of different pHEMT AsGa technology process. |
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Bias controlled power amplifier with low group delay variations for impulse radio ultra-wideband based localization system. |
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Caractérisation IV impulsionnelle et RF et Modélisation de AlGaN/GaN HEMT et graphène FET. |
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Combinaison de puissance hyperfréquence à faibles pertes et compacte |
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Conception et développement d'étalons pour la mesure des paramètres S en mode mixte de circuits intégrés et méthodes associées |
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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales |
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Contribution à l'étude d'une antenne adaptative et à la conception d'un démonstrateur |
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Contribution to the design and evaluation of BIST circuits for integrated RF applications. |
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Contributions to microwave circuits design : data-processing design assistant tool and driver design methodology for optical pulses generation. |
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Design and development standards for mixed-mode S-parameters measurement of integrated circuits and associated methods. |
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Design methodology of mollimeter-wave mixers applied to the realization of a MMIC subharmonic cold FET mixer [42-43.5 GHz]. |
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Design, Modeling and Characterization of MMIC new power cells for Space-Borne Applications. |
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Design of base stations integrated power amplifier in silicon technology for the fourth generation of cellular radio communication networks. |
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Development of integrated circuits included in RF power transistors designed for LDMOS technology. |
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Développement de fonctions intégrées incluses dans les transitors RF de puissance conçus en technologie LDMOS |
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Développement d'un logiciel d'assistance à la conception des circuits non linéaires microondes : Application à l'amplification distribuée non uniforme de puissance à très large bande en technologie MMIC |
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Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales |
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Etude de nouvelles structures de filtres actifs intégrées en Hyperfréquences |
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Failure mechanisms analysis in radiofrequency power AlGaN/GaN HEMTs.. |
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Innovative CAD methodology for low noise MMICs, including lossy passive component models from foundries. |
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Linéarisation par pré-distorsion numérique d'amplificateurs de puissance pour les nouvelles générations des systèmes de télécommunications |
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Low loss and compact high power combination. |
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Méthode de conception des mélangeurs millimétriques application à la réalisation MMIC d'un mélangeur sous-harmonique à FET froid [42-43.5 GHz] |
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Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S |
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Méthodologie de CAO innovante pour la conception de MMICs prenant en compte les pertes des éléments réactifs des technologies intégrées |
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Modèle prédictif de transistor HEMT pour la simulation précise de l'intermodulation à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences : évaluation des performances en linéarité de différentes filières technologiques pHEMT AsGa |
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Modeling of a GaN HEMTs technological process : design of flip-chip and MMIC architectures of wideband distributed power amplifiers with cascode cells. |
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Optimal packaging methodology of HEMT GaN technology to design high efficiency and wideband high power amplifier for radar applications in S-band. |
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Probing RF front-ends vulnerabilities to high power electromagnetic interference, case study of a GaAs HEMT low-noise amplifier. |
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Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs |
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Recherche de vulnérabilités des étages de réception aux agressions électromagnétiques de forte puissance : cas d'un LNA AsGa |
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Study of low level and high linearity amplifiers in HEMT GaAs integrated technologies for Space applications. |
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Traps’ characterization and modeling by the study of the output conductance dispersion at low frequencies, in InAlN/GaN HEMT technologies for the amplification in millimetric range. |
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