Théron, Didier 1962-...
Didier Théron électronicien français, a été responsable du programme de recherche sur les nanotechnologies et les nanosystèmes à l’Agence nationale de la recherche
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Works
Title | Sources |
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Analysis of device properties of silicon nitride membrane nanoelectromechanical resonators for future optomechanical thermometry applications | |
Caractérisations et modélisations physiques de contacts entre phases métalliques et Nitrure de Gallium semi-conducteur | |
Characterization and physical modelling of contacts between metallic phases and Gallium Nitride. | |
Conception and realisation of field effect transistors on InP substrate for power amplification in W band. | |
Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants | |
Développement de capteurs à ondes élastiques de surface auto-encapsulés aux fréquences intermédiaires pour environnement haute température | |
Développement et caractérisation de modules Technologiques sur semiconducteur GaN : application à la réalisation de cathodes froides et de transistor HEMT AlGaN/GAN | |
Étude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires | |
Fabrication and characterization of Gallium nitride based high electron mobility transistors as millimeter and terahertz radiation detector. | |
From the concept to the analysis of performances of an innovative, axisymmetric and resonant microgyroscope using SOI technology. | |
HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants | |
High frequency electronics on nanodot molecular junctions : interaction between molecules, ions and waves | |
Investigation of the characterization of nanocomponents at nanoscale and in microwave range. | |
Kelvin force microscopy on gallium nitride materials and devices. | |
Matériaux pérovskites hybrides : caractérisation des propriétés électroniques et stabilité à l'échelle nanométrique | |
Multimodal sensing and imaging technology by integrated scanning electron, force, and near-field microwave microscopy and its application to submicrometer studies | |
Nano-jonctions moléculaires à hautes fréquences : interactions entre les molécules, ions et ondes. | |
nanotechnologies un nouveau paradigme | |
New oscillators based on MEMS resonators full plate on insulating silicon substrate. | |
Non linear characterization and analysis of field effect transistors for microwave applications in time domain. | |
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. | |
Piezoelectric MEMS for time-frequency applications. | |
Réalisation et caractérisation de détecteurs submillimétriques et térahertz par des composants à effets de champs à base de nitrure de Gallium | |
Résonateurs MEMS à base d'hétérostructures AlGaN/GaN | |
Study of GaN MEMS resonators for application to inertial sensors. | |
Technologie de transistors à effet de champ pour applications en grand signal hyperfréquence | |
Transduction and Fabrication Study of a 3-axis Piezoelectric GaAs Microgyroscope. | |
Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation |