Analyse par XPS d'empilements High-K Metal Gate de transistors CMOS et corrélation des décalages d'énergie de liaison aux tensions de seuil |
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Cryo-Atomic Layer Etching by plasma : mechanisms and processes. |
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Cryo-gravure de couches atomiques par plasma : mécanismes et procédés |
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Development and optimization of a polysilicon gate etch process for the 45 and 32 nanometer technology node. |
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Development of dynamic scatterometry for real time etching process control. |
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Development of pulsed plasma doping system for semiconductor processing : characterization of the plasma and its interaction with the materials. |
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Développement de nouvelles technologies de gravure : mise en évidence de la stochasticité du bombardement ionique lors de procédés plasma industriels |
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Développement de procédés de gravure plasma innovants pour les technologies sub-14 nm par couplage de la lithographie conventionnelle avec l'approche auto-alignée par copolymère à blocs |
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Développement de procédés de gravure plasma sans dommages pour l'intégration de l'InGaAs comme canal tridimensionnel de transistor nMOS non-planaire |
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Développement de techniques de patterning avancées pour les filières CMOS-sub 10nm |
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Développement d'un procédé de dopage de matériaux semi-conducteurs par plasma : caractérisation du plasma et de son interaction avec les matériaux |
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Développement d'une nouvelle technique d'analyse pour les nanosctructures gravées par plasmas : (S)TEM EDX quasi in-situ |
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Développement et optimisation d’un procédé de gravure grille polysilicium pour les nœuds technologiques 45 et 32 nm |
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Dry etching of inp in ch#4/h#2 plasma for microelectronic applications. |
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Elaboration de masques nano poreux de polymères et gravure profonde du silicium |
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Élaboration de nouveaux conducteurs à base de nanotubes de carbone pour connexions inter-niveaux |
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Elaboration of nano porous polymers masks and silicon deep etching. |
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Etching silica glasses in dense fluorinated plasmas to make microfluidic devices : experimental and modeling study.. |
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ETUDE DES MECANISMES DE GRAVURE DU SI A BASSE TEMPERATURE PAR UN FAISCEAU PLASMA DE SF#6 EXTRAIT D'UNE SOURCE D'IONS A DECHARGE MICRO-ONDE |
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Etude du procédé de gravure de l'alliage Ge-Sb-Te pour les mémoires à changement de phase |
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Experimental study of physico-chemical etching mechanisms of polymers in oxygen-based plasmas Application processes deep etching. |
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Functionalization study of porous coordination polymers (MOFs) by an impulse dielectric barrier discharge (I-DBD) plasma process. |
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GRAVURE DU PHOSPHURE D'INDIUM INP EN PLASMA CH#4/H#2 POUR LES TECHNOLOGIES MICRO-ELECTRONIQUES |
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Gravure du titane à fort rapport d'aspect pour innovations biomédicales |
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Gravure du verre de chalcogénure GeSbSe en plasma fluoré ou à base de méthane |
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Gravure en plasma dense fluorocarboné de matériaux organosiliciés à faible constante diélectrique (SiOCH, SiOCH poreux) : étude d'un procédé de polarisation pulsée |
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Gravure en plasmas denses fluorés de verres de silice pour l'élaboration de dispositifs microfluidiques : étude expérimentale et modélisation |
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Gravure et traitement par plasma de matériaux organosiliciés SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique |
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Gravure plasma du CdHgTe : étude de précurseurs non conventionnels pour application aux détecteurs infrarouges hautes performances de très faible pas |
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HgCdTe plasma etching : study of unconventional precursors for high-performance infrared detectors processing. |
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Limites imposées par les procédés de gravure plasma lors de la réalisation d'une structure double damascène : rugosité en fond de ligne des diélectriques poreux et intégration des barrières auto-positionnées |
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Main challenges during plasma etching of a dual damascene structure for advanced notes : trench bottom roughness and integration of self-aligned barriers. |
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Mécanismes de gravure et de sélectivité de matériaux à base de silicium en plasma délocalisé NF3/NH3(ou H2), pour le développement de procédés plasmas sélectif. |
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Multi-scale simulation of deep silicon etching under Bosch process. |
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On the spectral properties of the operators generated by a system of differential equations. |
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Plasma et son environnement, plasmas froids en France et au Québec |
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Plasma etch processes for the realization of vertical structures for the new generation of GaN based Schottky diodes. |
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Plasma etching of high-χ block copolymers. |
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Procédés de gravure de SiO2 en plasmas denses fluorocarbonés pour des applications en nano- et micro-technologies |
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Remplissage en polymère des via traversant (TSV) pour des applications 3D-Wafer Level Packaging |
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Silicon nitride spacer etching process development for sub-10nm Front End Of Line CMOS applications. |
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Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash |
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Simulation multi-échelle de la gravure profonde du silicium par procédé Bosch |
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Study of Ge-Sb-Te alloy etch process for phase-change memories integrated into the 28 nm technology node. |
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STUDY OF THE ETCHING OF SI AT LOW SUBSTRATE TEMPERATURE USING A SF#6 PLASMA BEAM EXTRACTED FROM A MICROWAVE ION SOURCE. |
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Titanium etching for biomedical applications. |
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Towards a technological rupture in plasma processing for material patterning with sub-nm precision. |
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Vers une gravure plasma de précision nanométrique : simulations de dynamique moléculaire en chimie Si-Cl |
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Vers une rupture technologique des procédés plasma pour la structuration de la matière avec une précision sub-nanométrique |
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X-ray photoelectron spectroscopy characterization of the technological steps of fabrication of the gaalas/gaas heterojunction bipolar transistor and in particular of the ionic reactive etching of gemow ohmic contact on gaas. |
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X-RAYS AND PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES OF ELECTRON DISTRIBUTIONS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SEMICONDUCTORS (A-SIGE:H AND A-SI:H,CL). |
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XPs analysis of High K Metal Gate transistors and relationship between binding energy shift and threshold voltage. |
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