Muller, Christophe, 19..-...., chercheur en nanomatériaux
Christophe Muller researcher
VIAF ID: 189645608 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Caractérisarion physique par imagerie électronique de défauts dans les technologies mémoires avancées | |
Caractérisations physico-chimiques et électriques d'empilements de couches d'oxyde à forte permittivité (high-k) / grille métallique pour l'ajustement du travail effectif de la grille : application aux nouvelles générations de transistors | |
Compact modeling and circuit design of resistive memory devices for innovative applications. | |
Control of process variability through development of regulation modeling. | |
Développement et élaboration par MOCVD de matériaux à changement de phase à base d'alliages GeTe : applications aux mémoires embarquées pour la microélectronique | |
Développement, mécanismes de programmation et fiabilité de mémoires non volatiles à commutation de résistance MRAM et OxRRAM | |
Développements d'outils de caractérisations opto-électriques multi-échelles pour les dispositifs photovoltaïques organiques | |
Electrical characterization and analysis of energy efficient embedded non-volatile memory based on ferroelectric materials. | |
Etude d'architectures et d'empilements innovants de mémoires Split-Gate (grille séparée) à couche de piégeage discret | |
Étude de composés à structure TTB en couches minces et multicouches | |
Étude du phénomène de relaxation diélectrique dans les capacités Métal-Isolant-Métal | |
FeRAM technology : reliability and failure mechanisms of elementary and integrated ferroelectric capacitors. | |
Growth, electrical and optical properties, of TTB thin films and superlattices. | |
Intégration, caractérisation et modélisation des TSV pour les empilements 3D de puces | |
Intégration de matériaux à forte permittivité diélectrique dans les mémoires non volatile avancées | |
Intégration et caractérisation électrique d'éléments de mémorisation à commutation de résistance de type back-end à base d'oxydes métalliques. | |
Magnetic memory using a thermally assisted writing based on a spin polarized current. | |
Maîtrise de la variabilité des procédés de fabrication par le développement de modèles de régulation | |
Mémoire magnétique à écriture par courant polarisé en spin assistée thermiquement | |
Modélisation et conception de circuits à base de mémoires non-volatiles résistives innovantes | |
Optimization and reduction of the variability of a new nonvolatile memory architecture ultra-low power consumption. | |
Optique astronomique et plasticité : développements en fabrication optique pour des miroirs actifs de formes libres | |
Order-disorder transition and anionic conductivity in the bi#4(v#1#-#xme#x)#2o#1#1#-#d (me = co, fe) compounds (me = co, fe). | |
PCRAM optimisation for sub-40nm technology nodes : integration of alternative materials and innovative structures. | |
Physical defect characterization by electron microscopy in advanced memories. | |
Relations entre composition, structure et propriétés physiques d'oxydes ferroétectriques : Evolution vers les couches minces ferroélectriques intégrées dans les mémoires FeRAM | |
Study of innovative stacks and architectures of Split-Gate charge trap memories. | |
Study of manufacturing processes and physicochemical characterization of oxides layers with high dielectric constant : application for new generations of transistors. | |
Surface and interface properties of ferroelectrics BaTiO3 thin film studied by in-situ photoemission spectroscopy. | |
Technological optimization and electrical characterization of oxide based resistive memories (OxRRAM) for low power applications. | |
Technologie FeRAM fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques et intégrés | |
Transition ordre-désordre et conductivité anionique dans les composés Bi4(v1-xmex)2O11-d(me = Co, Fe) | |
Transmission electron microscopy contribution to the examination of non volatile emergent memories. |