Charakterystyka pra[!]dowo-napięciowa diody p-n uwzględniająca wpływ unoszenia nadmiarowych nośników ładunku w polu jednorodnej bazy |
|
Charakterystyki temperaturowe rezystorów |
|
Elektronowy rezonans paramagnetyczny Mn²+ w CdF₂ |
|
Elektrostatyczna energia wiązania kryształów jonowych |
|
O energii anizotropii magnetokrystalicznej |
|
Epitaksjalne złącza p-n na monokryształach węglika krzemu SiC |
|
Ferrimagnetyzm |
|
Fosforek galu jako materiał elektroluminescencyjny. |
|
Fotoelektryczne przyrządy odbiorcze z arsenku galu |
|
Fotowoltaiczna metoda pomiaru oporności właściwej warstwy epitaksjalnej |
|
Germanowa dioda stopowa z kontaktem bazy spełniającym warunek S = D/L |
|
Germanowa dioda tłumiąco-usprawniająca |
|
Głowica jonizacyjna z modulatorem pracującym bez prądu elektronowego |
|
Graficzne i tabelaryczne przedstawienie podstawowych wielkości fizycznych ambipolarnego równania ciągłości |
|
Hall - effect isolator for VHF range |
|
Hall generator with variable active-layer thickness |
|
Hallotronowy miernik mocy czynnej na pasmo 50 Hz-50 kHz |
|
K voprosu o sinteze čebyševskih fil'trirûŝih stupenčatyh linij |
|
Kontakty metal-arsenek galu otrzymywane przez osadzenie warstw Ag-Ni |
|
Krajowe sympozjum elektroniki półprzewodników, Jaszowiec 24-27 IX 1969, 3 |
|
Krystalizacja azotku tytanu z fazy gazowej i niektóre jego własności |
|
Krzemowe fotodiody dyfuzyjne wielkiej częstotliwości |
|
Materiały i technologie opracowane przez ITE PAN w okresie 17. 07 .66 - 31. 12. 69 dla potrzeb gospodarki narodowej |
|
Mechanizm przemagnesowania w cienkich taśmach permalojowych |
|
A method of measurement of a small birefringence |
|
Metoda obliczania charakterstyk pojemnościowo-napięciowych idealnych struktur MIS |
|
Miernik indukcji magnetycznej (magnetometr jądrowy) typ MJ-104 |
|
Mikrofalowa elektronika ciała stałego : III Krajowa Konferencja MECS, Zakopane 30.09 - 3.10.1974. |
|
Mikrofalowa metoda badania jakości kryształów maserowych i laserowych. |
|
Mikroskop analizacyjny do badań w podczerwieni typ MAP-69 |
|
Model bloku pamięci na cienkich warstwach magnetycznych PAO-11 |
|
Monokryształy rubinu |
|
Naparowywanie próżniowe cienkich warstw roztworu stałego CdxHgi-xTe (x=0,1) |
|
National Symposium of the Semiconductor Electronics, 3 |
|
Nowe elementy termistorowe |
|
On the crystal orientation for junction laser technology |
|
Otrzymywanie i krystalizacja antymonku galu |
|
Otrzymywanie półprzewodnikowych monokryształów węglika krzemu |
|
Pair spectra in tetragonal zinc diphosphide (ZnP₂) and cadmium diphosphide (CdP₂) single crystals |
|
Pomiar ruchliwości nośników ładunku w półprzewodniku niejednorodnym |
|
Prace nad krzemowymi fotodiodami lawinowymi |
|
Projektowanie, technologia i pomiary dyfuzji boru do krzemu ze źródła B2O3 |
|
Przyczynki do technologii półprzewodnikowych spieków tlenków kobaltowo-manganowych |
|
Przyrząd do określania typu przewodności materiałów półprzewodnikowych |
|
Radiative recombination in BP |
|
Reflektometria czasowa w zastosowaniu do pomiaru własciwości dynamicznych przyrządów półprzewodnikowych |
|
Rekombinacja promienista w fosforku galu |
|
Rozkład przestrzenno-czasowy nośników nadmiarowych oraz ich ładunku przestrzennego w półprzewodnikach domieszkowych |
|
Rozwiązanie zależnych od czasu fenomenologicznych równań transportu nośników nadmiarowych w półprzewodnikach metodą operatorową. |
|
Scientific Activities of the Institute of Electron Technology of the Polish Academy of Sciences in the Years ... |
|
Spiekanie pod ciśnieniem molibdenu |
|
Stabilizacja i regulacja natężenia pola magnetycznego w spektrometrze EPR |
|
Statut Instytutu Technologii Elektronowej Polskiej Akademii Nauk. |
|
Studia nad otrzymywaniem boru i niektórych jego związków |
|
Szerokopasmowe własności cyrkulatorów falowodowych zbudowanych na rozgałęzieniach grzbietowych |
|
Technika pomiaru szumów diod półprzewodnikowych w zakresie małych częstotliwości |
|
Technologia otrzymywania spineli z: S, Se, Te |
|
O technologii termistorów wanadowych |
|
The technology of InSb alloyed diodes |
|
Teoretičeskie predposylki sinteza èlektromehaničeskih cepočečnyh fil'trov na osnove prototipov s raspredelennymi postoânnymi |
|
Termiczne aspekty możliwości wzbudzenia lasera złączowego zasilanego prądem stałym |
|
Tranzystorowe układy rejestracji sygnałów ERP i JRP |
|
Układ automatycznej regulacji częstotliwości klistronu |
|
Warunki rezonansowe dla czteropoziomowych układów kwantowych |
|
Własności przełączające mikrofalowych diod GaAs o wysokim napięciu przebicia |
|
Własności warstwy SiO2 otrzymanej metodą chemicznego nakładania w wyniku reakcji SiH4 i CO2 |
|
Wpływ obróbki cieplnej na właściwości termistorowe i strukturę niektórych tlenków złożonych występujących w układzie CoMn2O4 - MnCo2O4 - NiMn2O4 |
|
Wpływ techniki wytwarzania złącza p-n w diodzie elektroluminescencyjnej na jej wydajność kwantową |
|
Wpływ temperatury na działanie cyrkulatora paskowego |
|
Wpływ warunków otrzymywania warstw Si3N4 na jej własności elektryczne |
|
Wykorzystanie właściwości bariery Schottky'ego Au-Si do pomiaru rozkładu koncentracji domieszek w warstwach epitaksalnych nn+ metodą pojemnościową |
|
Wyniki badań nad technologią wysokonapięciowych złącz dyfuzyjnych w arsenku galu |
|
Wyznaczanie elektrycznych przebiegów nieustalonych w rezystorze |
|
Wyznaczanie impedancji poprzecznej linii paskowej |
|
Zagadnienie modyfikacji charakterystyki przewodzenia stopowej diody germanowej |
|
Zasady działania i konstrukcji detektorów fazoczułych stosowanych w spektroskopii JRP i ERP |
|
Zastosowanie spektrometru jądrowego rezonansu paramagnetycznego do badania ciała stałego |
|
Zjawiska przełączania w półprzewodnikach amorficznych i ich struktura pasmowa |
|
Zjawisko magnetooporowe w cienkich warstwach CdxHg1-xTe (x=0,1) |
|
Zjawisko reaktancyjne w rezystorach |
|