Camassel, J.
Camassel, Jean, 19..-....
Camassel, Jean.
VIAF ID: 161496885 ( Personal )
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- 100 1 _ ‡a Camassel, J
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Works
Title | Sources |
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Cristallogenèse de carbure de silicium cubique (SiC-3C) en phase gazeuse | |
Croissance de couches homoépitaxiales de carbure de silicium pour applications forte puissance | |
EFFECTS OF GROWTH INTERRUPTION SEQUENCES OR THE OPTICAL PROPERTIES OF ULTRA THIN QUANTUM WELLS OF GEINAS/INP. | |
Effets d'interruptions de croissance sur les propriétés optiques des puits quantiques ultra minces GaInAs/InP | |
Elaboration et caractérisation de composants type MOSFET en 4H-SiC orienté (11-20) | |
Electrical characterization of SOI substrates. | |
Etude des pertes d'énergie des électrons photoexcités dans les structures Al-Al2O3-Al | |
Étude du collage par adhésion moléculaire hydrophile : application au contrôle de l'énergie de collage | |
Etudes des propriétés de transport de mono et de multicouches de graphène épitaxiées sur sic | |
Frontiers in electronics, 1997: | |
ICSCRM2003 | |
Lattice dynamics of berlinite: infrared and raman activity. | |
Matériau SOI pour capteur à effet Hall | |
Méthodes de caractérisation optique de SiC | |
Modélisation des systèmes optiques multicouches : application aux filtres accordables et aux miroirs de Bragg | |
Optical investigation of stacking faults in 4H-SiC. | |
Optimisation de l'implantation ionique et du recuit thermique pour SiC | |
Papers presented at the European Materials Research Society 1996 Spring Meeting, Symposium A: High Temperature Electronics: Materials, Devices and Applications, June 4-7, 1996, Strasbourg, France | |
Process and characterization of (11-20) 4H-SiC MOSFET device. | |
Propriétés électriques et optiques du 4H-SiC dopé azote. Application : capteur à effet Hall pour les hautes températures | |
Propriétés physiques de 3C-SiC sur substrats SOI : perspectives d'application | |
Silicon carbide and related materials 2003 / ed. by Roland Madar, Jean Camassel, Elisabeth Blanquet. Part 1-2. - Uetikon-Zuerich, cop. 2004. | |
Silicon carbide and related materials 2003 ICSCRM 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003 | |
Solution growth and characterization of cubic silicon carbide single crystals. | |
Spectroscopie des fautes d'empilement dans 4H-SiC | |
Spectroscopie différentielle des semiconducteurs : contribution à l'étude de quelques effets liés à l'évolution en température de la structure de bande | |
STRAIN RELAXATION AND PHYSICAL PROPERTIES OF 3C-SIC HETEROEPITAXY ON SI AND SOI SUBSTRATES. | |
Study of the hydrophilic wafer bonding : application to the bonding energy control. | |
Study of transport properties of single and multilayers of epitaxial graphene on SiC. | |
Technologie d'oxydation pour la fabrication de composants MOSFETs en SiC. |