Bonnaud, Olivier, 19..-....
Bonnaud, Olivier
Olivier Bonnaud acteur français
VIAF ID: 14978739 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/14978739
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Works
Title | Sources |
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ANALYSE DES PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES D'UNE FILIERE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE I#2L AVANCEE EN VUE DE L'OPTIMISATION DU PROCEDE ET DE LA REDUCTION DE SES REGLES DE DESSIN | |
ANALYSIS OF ELECTRICAL BEHAVIOUR OF I#2L TECHNOLOGY DEVICES IN THE AIM TO IMPROVE THE FABRICATION YIELD. | |
Caractérisation et modélisation des mémoires Flash embarquées destinées aux applications faible consommation et à forte contrainte de fiabilité. | |
Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI | |
Caractérisations électriques et modélisation des phénomènes de piégeages affectant la fiabilité des technologies CMOS avancées (Nanofils) 10nm. | |
Carrier mobility and interface states characterization in advanced SOI substrate. | |
centrale de technologie virtuelle | |
Characterization, mechanisms and memory applications of advanced SOI MOSFETs. | |
Characterization of TFETs made using a Low-Temperature process and innovative TFETs architectures for 3D integration. | |
Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors | |
CONCEPTION D'UN CONVERTISSEUR NUMERIQUE ANALOGIQUE EN TECHNOLOGIE MOS POUR LE TRAITEMENT DE SIGNAUX VIDEO | |
CONCEPTION OF A 12 BITS-100 MHZ DIGITAL TO ANALOG CONVERTER IN A MOS TECHNOLOGY FOR VIDEO SIGNAL TREATMENT. | |
CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES | |
Contributions à l'étude d'un processeur s'intégrant dans un réseau systolique linéaire dédié à la comparaison des séquences biologiques | |
Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées | |
Développement et caractérisation d'architectures mémoires non volatiles pour des applications basse consommation | |
Développement et caractérisation d'une filière CMOS W/AL 0,5 micron sur substrat soi mince (100 nm) | |
Développement et fabrication de trnasistors couches minces verticaux en technologie silicium polycristallin basse température. | |
Dispositifs innovants de la technologie FD-SOI | |
Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes | |
ETUDE DE LA METALLISATION AUTO-ALIGNEE DES CONTACTS SOURCE/DRAIN : CONSEQUENCES SUR L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES | |
Etude des effets singuliers transitoires dans les amplificateurs opérationnels linéaires par photogénération impulsionnelle non linéaire | |
ETUDE DES JONCTIONS VERTICALES P+N A EMETTEUR EN SILICIUM LPCVD FORTEMENT DOPE IN-SITU AU BORE | |
Etude des structures MIM à base de dioxyde de titane pour des applications DRAM | |
Etude du gain interne d'un transistor par la méthode d'avalanche en faible multiplication | |
Etude du remplissage de tranchées profondes par du silicium polycristallin | |
Etude et amélioration de la fiabilité des composants dédiés aux technologies bipolaire/CMOS/DMOS moyenne tension | |
Étude prédictive et réalisation de transistors films minces verticaux à basse température (T<600°C) sur substrat de verre | |
Etude théorique et expérimentale de µ-OLEDs en régime impulsionnel à très haute densité de courant | |
Évaluation des effets des neutrons atmosphériques sur l'électronique embarqué en avionique et recherche de solutions de durcissement | |
Experimental analysis of electrical parameters of cmos componants irradiated thank to a co60 source ; technology and transistors conduction state in devices impacts. | |
Experimental and theoretical study of μ-OLEDs in pulsed regime under high current densities. | |
Fabrication and characterization of magnetic planar micro transformer. | |
Fiabilité des assemblages sans plomb en environnement sévère | |
Générateurs d'arbres de Wallace-Dadda réguliers | |
Heavily doped Si and SiGe layers for advanced bipolar transistors. | |
Improvement of the electrical characteristics of a bipolar transistor with aSi:H emitter. Modelling of the base current. | |
Investigation of electrostatic doping devices and applications in FD-SOI technologies. | |
Metal gate manufacturing and characterization for high-k based 32/28nm CMOS technologies. | |
Méthode de modélisation prédictive de boîtiers des circuits intégrés en vue d'anticiper avant design l'immunité au bruit du circuit | |
Modélisation mono- et bidimensionnelle des phénomènes électrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : Application à l'effet de champ dans une structure MOS | |
Modelling of undoped small grain polysilicon thin film transistors in accumulation mode. | |
Optimization of tests for mixed analog-digital integrated circuits: applicable to 2b/1q coded u interface. | |
PN JUNCTIONS FABRICATION IN POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM. ANALYSIS AND MODELING OF THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS IN TEMPERATURE RANGE: 200 K-400 K. | |
predictive modeling method of electronic packages for noise immunity prediction. | |
Predictive reliability study of new assembly concepts for heterogeneous "system-in-package". | |
Process control of epitaxial growth of single-crystal and polycristalline silicon for microsystems applications. | |
REALISATION DE JONCTION PN DANS UN FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN : ANALYSE ET MODELISATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION ENTRE 200 K ET 400 K | |
Réalisation d'un micro-écran OLED haute luminance | |
Réalisation et caractérisation de structures intégrées en technologie BCD de micro-capteurs de positionmagnétiques réalisés à partir de couches de silicum polycristallin dopées in-situ | |
REALISATION ET CARACTERISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE | |
Réalisation et caractérisation d'une technologie CMOS-TFT à basse température (<600° C) | |
Realization of a high brightness OLED micro-display. | |
Redécouvrir l'électronique : 12 questions sur l'électronique, et bien plus de réponses encore... | |
Réduction des effets de non-linéarités dans une modulation multiporteuse à l'aide de réseaux de neurones | |
REMPLACEMENT DU TASI 2 PAR WSI 2 POUR LA REALISATION DES GRILLES DES TRANSISTORS DES CELLULES DES MEMOIRES EEPROM : OPTIMISATION DU PROCEDE | |
STUDY OF PERPENDICULAR P+N JUNCTIONS WITH HEAVILY IN-SITU BORON DOPED LPCVD SILICON EMITTER. | |
Study of the atmospherical neutrons effect on electronic components embbeded for avionics application and search of hardening solutions. | |
Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures. | |
Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés | |
Vertical thin film transistor involving low temperature process (T<600°C) and compatible with glass substrate. |