Instytut Technologii Elektronowej.
Polska Akademia Nauk. Instytut Technologii Elektronowej
VIAF ID: 134245585 ( Corporate )
Permalink: http://viaf.org/viaf/134245585
Preferred Forms
- 110 2 _ ‡a Instytut Technologii Elektronowej
-
- 110 2 _ ‡a Instytut Technologii Elektronowej
-
-
- 110 2 0 ‡a Polska Akademia Nauk. ‡b Instytut Technologii Elektronowej
4xx's: Alternate Name Forms (14)
5xx's: Related Names (3)
Works
Title | Sources |
---|---|
Badania struktury warstw krzemowych osadzonych metodą CVD na amorficznym SiO | |
Elektronika półprzewodnikow; materialy z II Krajowego Sympozjum Elektroniki Półprzewodników, Warszawa, marzec 1967. | |
Fizyka cienkich warstw : I Ogólnopolskie Sympozjum, Szczyrk 19.10-25.10.1973. | |
Institute of Electron Technology Scientific Activity. | |
Krajowa Konferencja Mikrofalowa Elektronika Ciała Stałego | |
Metoda oceny wpływu temperatuty na parametry scalonego wzmacniacza mikrofonowego | |
Napylane kontakty metal-arsenek galowy | |
Nauka jako stymulator rozwoju przemysłów wysokiej technologii w Polsce. | |
Nowoczesne technologie w mikroelektronice : sympozjum naukowe, Toruń 3 października 1973 : referaty i komunikaty | |
Oddziaływanie wymienne w widmie ekscytonów w tellurku cynku | |
Ograniczenia i błąd metody pojemnościowej pomiaru koncentracji domieszek w warstwach epitaksjalnych nn+ | |
Oporność termiczna krzemowego waraktora mocy | |
Optymalizacja konstrukcji i warunków pracy fotodiody lawinowej | |
Otrzymywanie i krystalizacja antymonku galu | |
Otrzymywanie i własności cienkich warstw azotku krzemu | |
Otrzymywanie prętów z sześcioborków metali ziem rzadkich i alkalicznych metodą strefowego topienia | |
Otrzymywanie warstw SiO2 wysokiej jakości metodą termicznego utlenienia | |
Pair spectra in tetragonal zinc diphosphide (ZnP₂) and cadmium diphosphide (CdP₂) single crystals | |
Perspektywy rozwoju elektroniki na świecie | |
O pewnej metodzie badania właściwości elektrycznych bloku szybkiej pamięci ferrytowej | |
O pewnych aspektach pomiaru oporności właściwej krzemowych warstw epitaksjalnych nn+ metodą sondy trzyostrzowej | |
O pewnych zastosowaniach zjawiska Halla w półprzewodnikach | |
Pomiar efektu Halla prądem zmiennym | |
Pomiar temperatury z wykorzystaniem tranzystora jako czujnika | |
Prace Instytutu Technologii Elektronowej. | |
Prace ITE | |
Przyczynki do właściwości termistorowych tlenków manganowo-kobaltowo-miedziowych | |
Rezonatory wypełnione ośrodkiem anizotropowym | |
Rozkład ładunku sygnałowego w strukturze przyrządu o sprzężęniu ładunkowym w warunkach statycznych | |
Rozprawy Elektrotechniczne | |
Seminarium związków półprzewodnikowych A² B⁶, Jaszowiec, 1971 : materiały. | |
Spektrometr EPR na pasmo X | |
Stabilizacja i regulacja natężenia pola magnetycznego w spektrometrze EPR | |
Stan badań i kierunki rozwoju mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych na świecie i w kraju : 1972 | |
Struktura pułapkowa poli (N-winylokarbazolu) na podstawie badań prądów termicznie stymulowanych | |
Studia nad otrzymywaniem boru i niektórych jego związków | |
Szumy wybuchowe i szumy 1/f w przyrządach półprzewodnikowych | |
Technologia monokryształów : I ogólnopolskie seminarium technologii monokryształow, Szklarska Poręba 18-27 październik a 1972. | |
Technologia otrzymywania spineli z: S, Se, Te | |
Termistory - nazwy i określenia BN-86/3375-54 | |
Termistory o ujemnym temperaturowym współczynniku rezystancji - Metody pomiaru parametrów - Wyznaczanie charakterystyki rezystancyjno-mocowej Rt = f (Pg) BN-86/3375-56/07 | |
Transport jonów w warstwie dielektrycznej przyrządów polowych MOS | |
Transport nośników o krótkich czasach życia w półprzewodniku niejednorodnym | |
Twin structure of β-rhombohedral boron | |
Układy do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystorów polowych | |
Układy elektroniczne przyrządu do badania niejednorodności półprzewodnikach : (Derotaumetr) | |
Układy maserowe z podwójnym pompowaniem | |
Urządzenia technologiczne wykonywane przez ITE PAN w okresie 17.07.66 - 31.12.69 dla potrzeb gospodarki narodowej | |
Urządzenie do badania rozkładu temperatur metodą detekcji promieniowania podczerwonego | |
Waraktory mikrofalowe | |
Warstwy epitaksjalne GaAs otrzymane metodą zbliżeniową w atmosferze wilgotnego wodoru | |
Warunki wzbudzenia lasera złączowego przy zasilaniu prądem stałym | |
Widma optyczne jonów metali przejściowych w kryształach CdF2 | |
Właściwości dynamiczne tranzystorów polowych | |
Własności elektrochemiczne arsenku galu | |
Własności elektryczne warstw naparowywanych tellurku rtęciowego | |
Wpływ defektów strukturalnych na trwałość dyfuzyjnych DEL z arsenku galu / Bogdan Darek, Tomasz Lipiński. Ruch falowy w światłowodach gładkich i periodycznie zaburzonych / Andrzej Maląg. | |
Wpływ obróbki termicznej na właściwości elektryczne i strukturę spieków tlenków manganu i niklu | |
Wpływ rekombinacji w kontakcie i na powierzchni bazy na charakterystyki statyczne i dynamiczne diody półprzewodnikowiej | |
Wytwarzanie dwutlenku krzemu metodą utleniania silanu / Elżbieta Tworek. Elektrochemiczne metody badania struktur dwutlenek krzemu-krzem / Andrzej Wolkenberg. Określanie pojemności planarnych złącz / Andrzej Orlik. | |
Wyznaczanie elektrycznych przebiegów nieustalonych w rezystorze | |
Wzrost z fazy gazowej i niektóre własności fizyczne monokryształów A-Gd2S3 | |
Zależność efektu polowego warstw Cd Se od częstotliwości | |
Zasady działania i konstrukcji detektorów fazoczułych stosowanych w spektroskopii JRP i ERP | |
Zastosowanie maszyny matematycznej do wyznaczania wielkości charakteryzujacych stany powierzchniowe metodą charakterystyk G-U | |
Zastosowanie oświetlacza laserowego do oceny jednorodności materiałów półprzewodnikowych | |
Zastosowanie spektrometru jądrowego rezonansu paramagnetycznego do badania ciała stałego | |
Zastosowanie warstw dielektrycznych w procesie selektywnej dyfuzji do GaAs | |
Zjawisko gromadzenia ładunku powierzchniowego napromieniowanych strumieniem elektronów warstw SiO2, Si3N4 i Al2O3 | |
Złącza p-n powstające w czasie wzrostu kryształów fosforku galu | |
Zniekształcenia linii ERP w spektrometrach z automatyczną regulacją częstotliwości | |
К вопросу о синтезе чебышевских фильтрирющих ступенчатых линий | |
Теоретические предпосылки синтеза электромеханических цепочечных фильтров на основе прототипов с распределенными постоянными |