Hasegawa, H. (Hideki), 1941-
Hasegawa, Hideki 1941-
長谷川, 英機
하세가와 히데키 1941-
Hasegawa, H. 1941-
VIAF ID: 112971309 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/112971309
Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Hasegawa, H. ‡d 1941-
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- 100 1 0 ‡a Hasegawa, H. ‡q (Hideki), ‡d 1941-
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- 100 1 _ ‡a Hasegawa, Hideki ‡d 1941-
- 100 1 _ ‡a 長谷川, 英機
- 100 1 _ ‡a 하세가와 히데키 ‡d 1941-
4xx's: Alternate Name Forms (12)
Works
Title | Sources |
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Compound semiconductor surface passivation and novel device processing : symposium held April 5-7, 1999, San Francisco, California, U.S.A. | |
Formation and Device Applications of Compound Semiconductor Quantum Nanostructures | |
III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用 | |
InP-based materials and devices : physics and technology | |
Kenkyūsha kenkyū kadai sōran, 1996: | |
Passivity of semiconductors | |
Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure of Microelectronics, 1997: | |
Thin films expitaxial growth and nanostructures, 1998: | |
ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路 | |
ナノスケールショットキー接合による金属ー化合物半導体界面の物質制御と応用 | |
化合物半導体-絶縁体界面の物性と応用に関する研究 | |
化合物半導体集積回路基板の非破壊検査法と検査装置の試作に関する研究 | |
化合物半導体超格子構造を用いた進行波素子の試作に関する研究 | |
化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究 | |
半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作 | |
半導体自由表面の表面準位分布の非接触測定とそれにもとづく表面の工学的制御 | |
単電子デバイスとその高密度集積化 | |
界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作 | |
新しい二重膜ゲートMISFETを用いたInP系超高速集積回路の基礎的研究 | |
窒化ガリウムナノ細線を用いた化学センサとその集積化センサチップへの展開 | |
超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現 | |
超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発 | |
量子限界近傍で動作するIII-V族量子細線トランジスタ論理・記憶集積回路の開発 | |
金属-半導体界面におけるショットキー理想極限の実現とその電子デバイスへの応用 |