Graffeuil, Jacques, 1947-
Graffeuil, Jacques, 19..-....
Graffeuil, Jacques
VIAF ID: 109452090 ( Personal )
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Preferred Forms
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Works
Title | Sources |
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Algaas/gaas insulated gate field effect transistors: study, fabrication and application to integrated circuits. | |
Analysis of some electrical properties of the two dimensional electron gas field effect transistor. | |
Applications of GaAs MESFETs | |
Bipolar and field effect devices low frequency noise characterization and modelling for microwave applications. | |
Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence des composants bipolaires et à effet de champ pour applications micro-ondes | |
Caractérisation hyperfréquence des supraconducteurs à haute température critique en vue de l'application à l'oscillateur micro-onde cryogénique | |
Composants, dispositifs et circuits actifs en micro-ondes | |
Conception en technologie intégrée de circuits hyperfréquences pour la télémesure image d'un instrument spatial | |
Conception et intégration monolithique de modulateurs et démodulateurs quadriphase haut débit en bande X | |
Conception et réalisation d'amplificateurs cryotechniques faible bruit à base de transistors à effet de champ dans la bande 16-20 GHz | |
CONCEPTION ET REALISATION DE CIRCUITS MILLIMETRIQUES MICRO-USINES SUR SILICIUM : APPLICATION A LA REALISATION D'UN OSCILLATEUR A RESONATEUR DIELECTRIQUE EN BANDE KA | |
Conditions optimales de fonctionnement pour la fiabilité des transistors à effet de champ micro-ondes de puissance | |
CONTRIBUTION A LA CONCEPTION DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM | |
Contribution à l'étude du bruit de fond des diodes à effet Gunn | |
DESIGN AND INTEGRATION OF HIGH BIT RATE FOUR PHASE MONOLITHIC DEMODULATORS AND MODULATORS AT X BAND. | |
DESIGN OF CRYOGENICALLY-COOLED, 16-20 GHZ HEMT LOW NOISE AMPLIFIER. | |
DESIGN OF MONOLITHICS MICROWAVES CIRCUITS FOR THE IMAGE TELEMETRY OF A SPACE INSTRUMENT. | |
Divergence, l'album : 2004-2014 | |
EXCESS NOISE, ANOMALUS EFFECTS AND RELIABILITY OF HIGH FREQUENCY DEVICES (SCHOTTKY DIODES, MESFET AND HEMT). | |
METHOD FOR DESIGNING PHASE-LOCKED DIODE LASER ARRAYS AND COMPARATIVE ANALYSIS OF GAAS AND INP SYSTEMS. | |
Méthodologie de conception de réseaux de diodes laser à rubans multiples couples et analyse comparative des filières technologiques GAAS et INP | |
MICROWAVE CHARACTERIZATION OF HIGH TC SUPERCONDUCTORS FOR THE POSSIBLE APPLICATION TO THE CRYOGENIC MICROWAVE OSCILLATOR. | |
Microwave components, devices, and active circuits, 1987: | |
MODELISATION DU TRANSISTOR MESFET GAAS UTILISE EN REGIME DE FORTS SIGNAUX. APPLICATION A LA CONCEPTION D'UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE A DISTORSION DE PHASE MINIMALE | |
NEW TECHNOLOGICAL PROCESS OF LOW LOSS AND LOW DISPERSION COPLANAR MICROWAVE CIRCUITS ON A MEMBRANE COMPOSED OF SILICON-OXIDE AND -NITRIDE. | |
OPTIMIZED OPERATION CONDITIONS FOR POWER MICROWAVE FIELD EFFECT TRANSISTOR RELIABILITY. | |
Second séminaire annuel de l'école doctorale d'électronique de Toulouse, 12 au 14 janvier 1999, Toulouse | |
Surface effect and low-frequency noise in gaas field effect transistor. | |
Synthèse et réalisation d'un filtre actif passe-bande transversal monolithique en bande Ku | |
Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium : propriétés statiques et dynamiques, petits signaux, analyse des phénomènes de bruit de fond. | |
TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE SUR HETEROSTRUCTURE GAALAS/GAAS : ETUDE, REALISATION ET APPLICATION AUX CIRCUITS INTEGRES |